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13年
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SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 47A |
| 栅源极阈值电压 | 3.9V @ 2.7mA |
| 漏源导通电阻 | 70mΩ @ 30A,10V |
| zui大功率耗散（Ta=25°C） | 415W |
| 类型 | N沟道 |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：47A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（zui大值）：70 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）：3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：320nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：6800pF @ 25V
功率 - zui大值：415W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
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