IRF7103TRPBF  F7103 SOIC-8

                     FET类型: 2 个 N 沟道（双）
                     FET功能: 标准
        漏源电压（Vdss）:50V
          电流 - 连续漏极

       （ Id）（25°C 时）:3A
       不同 Id，Vgs 时的

     Rds On（Maximum）:130 毫欧 @ 3A，10V
          不同 Id 时的 Vgs

        （th）（Maximum）:3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极

电荷 （Qg）（Maximum）:15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入

电容（Ciss）（Maximum）:255pF @ 25V
            功率（Maximum）:2.4W
                         工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
                        封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    IRF7103TRPBF

HEXFET®功率MOSFET

    说明
    该HEXFET®功率MOSFET采用双SO-8封装，采用的工艺技术，

在每个硅区实现极低的导通电阻。这些HEXFET功率MOSFET的附加特

性是175°C结工作温度，快速的开关速度和提高的竞争力雪崩额定值。

这些优点结合在一起，使这个设计成为一个非常有效和可靠的设备，

用于各种应用。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET芯片

能力，使其适用于各种电源应用。这种双表面安装的SO-8可显著减少

板空间，并可用于磁带和卷盘。