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13年
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晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）：12A
电压 - 集射极击穿：400V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值：3V @ 3A，12A
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（值）：15 @ 5A，5V
功率 - ：100W
频率 - 跃迁：4MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
| 品牌： | FAIRCHILD |
| 型号： | FJP13009H2TU |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | TO-220 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 400 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 700 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 9 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1 V |
| 直流电集电极电流： | 12 A |
| Pd-功率耗散： | 100 W |
| 增益带宽产品fT： | 4 MHz |
| 工作温度： | - 65 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | FJP13009 |
| 封装： | Tube |
| 高度： | 9.4 mm |
| 长度： | 10.1 mm |
| 技术： | Si |
| 宽度： | 4.7 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 集电极连续电流： | 12 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 8 |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | Transistors |
| 零件号别名： | FJP13009H2TU_NL |
| 单位重量： | 1.800 g |
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